拋光粉具體的性能指標有哪些？拋光粉的性能如何？你都了解多少呢？高閣拋光的小編為您在線解答疑問。拋光粉顆粒巨細：決定了拋光精度和速率，一般用目數(shù)和均勻顆粒大小來表征。過篩目數(shù)反應了顆粒的大小，均勻粒度決定了廢拋光粉顆粒大小的整體程度。
拋光粉的硬度：硬度大的顆粒具有較快的切削率，參加助磨劑也能夠或許進步切削率。
拋光粉的懸浮性：高速拋光懇求拋光粉具有較好的懸浮性，顆粒外形和大小對懸浮性有較大影響，片狀的拋光粉和小顆粒的拋光粉的懸浮性較好。懸浮性的進步也能夠或許經(jīng)過參加懸浮劑來完結。
拋光粉的顆粒布局：顆粒布局是團圓體顆粒照樣單晶顆粒決定了拋光粉的耐磨性和流動性。團圓體顆粒在拋光進程中會決裂，然后招致耐磨性下降，單晶顆粒具有好的耐磨性和流動性。
拋光粉的顏色：與質(zhì)料中的鐠含量和溫度無關，鐠含量越高，拋光粉越顯棕赤色。低鈰拋光粉中含有大批的鐠，因而顯棕赤色。對純氧化鈰拋光粉，焙燒溫度高，拋光粉的顏色偏白紅，溫度低，顏色偏淺黃。
CMP技巧歸納了化學和機器拋光的上風：純真的化學拋光，拋光速率較快，外面光潔度高，毀傷低，完善性好，但外面平整度和平行度差，拋光后外面平等性差；純真的機器拋光外面平等性好，外面 平整度高，但外面光潔度差，毀傷層深?；瘜W機器拋光能夠或許得到較為完善的外面，又能夠或許得到較高的拋光速率，得到的平整度比其余辦法高兩個數(shù)量級，是今朝能夠或許完結全局平面化的獨一有用辦法。
根據(jù)機器加工道理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化實踐、外面工程學、半導體化學根底實踐等，對硅單晶片化學機器拋光（CMP）機理、動力學控制進程和影響身分研討表明，化學機器拋光是一個繁雜的多相反應，它存在著兩個動力學進程：
（1）拋光首要使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片外面的硅原子在外面中止氧化復原的動力學進程。這是化學反應的主體。
（2）拋光外面反應物脫離硅單晶外面，即解吸進程使未反應的硅單晶從新暴露進去的動力學進程。它是控制拋光速率的另一個嚴重進程。硅片的化學機器拋光進程因而化學反應為主的機器拋光進程，要得到質(zhì)量好的拋光片。
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